仁科記念賞に中辻東大教授＝次世代磁気メモリーの基礎技術
仁科記念財団は５日、物理学で優れた功績を挙げた研究者に贈る２０２６年度の仁科記念賞に、中辻知・東京大教授（５２）を選んだと発表した。
中辻氏は、次世代の磁気メモリー素子として期待される「反強磁性体」の性質を研究。情報の高速な読み出しに欠かせない「異常ホール効果」と呼ばれる量子力学的な現象を初めて実証した。通常の磁性体を使う磁気メモリーに比べ、磁力が外に漏れない反強磁性体は高密度の集積が可能になるという。
〔写真説明〕２０２６年度の仁科記念賞に決まった東京大の中辻知教授（仁科記念財団提供）
2026年11月05日 16時11分
